Neo Semiconductor, расположенная в Сан-Хосе, анонсировала новую версию своей технологии 3D-X-DRAM, теперь с использованием индиум-галлий-цинкового оксида (IGZO). Эта технология, впервые представленная в 2023 году, обещает значительные улучшения в производительности и эффективности.
Компания разработала два типа ячеек памяти: 1T1C (один транзистор, один конденсатор) и 3T0C (три транзистора, ноль конденсаторов), которые могут быть укладываемыми в многослойные структуры. По данным компании, симуляции TCAD предсказывают, что новая технология обеспечит скорость чтения и записи до 10 нс и время хранения данных более 450 секунд, с возможностью создания чипов емкостью до 512 Гбит. Ожидается, что тестовые чипы появятся в 2026 году.
IGZO — это полупроводниковый материал, известный своей низкой утечкой тока и высокой подвижностью носителей заряда, что делает его идеальным для использования в динамической оперативной памяти (DRAM). Ранее исследовательский институт IMEC предложил использовать IGZO для ячеек памяти с двумя транзисторами и одним конденсатором (2T1C) и без конденсаторов (2T0C). В последних конструкциях паразитная емкость считывающего транзистора служит элементом хранения, что позволяет повысить плотность и уменьшить занимаемую площадь.
Новая DRAM от Neo Semiconductor будет производиться с использованием модифицированного процесса изготовления 3D-NAND флеш-памяти, что также подчеркивает инновационный подход компании к разработке высокопроизводительных решений в области памяти.
Эти достижения открывают новые горизонты для применения памяти в различных устройствах, включая те, которые требуют высокой скорости обработки данных и надежности. Важно следить за развитием этой технологии, так как она может значительно изменить рынок памяти в ближайшие годы.