Индия делает шаги к укреплению своей позиции в полупроводниковой отрасли, подписав соглашение с США о строительстве завода по производству полупроводников, включая инфракрасные, нитрид галлия и карбид кремния. Это станет частью более широкой стратегии, направленной на создание полного производственного цикла в стране, от материалов до чипов.
В рамках первой фазы проекта выделено $10 миллиардов, однако эта сумма значительно уступает инвестициям других стран. Индийское правительство планирует вложить около 62,000 крор рупий в виде субсидий, что составляет основную часть из 76,000 крор, предусмотренных на первый этап.
Несмотря на оптимистичные планы, эксперты выражают опасения по поводу сокращения субсидий, что может негативно сказаться на развитии индийской полупроводниковой индустрии. Крупные игроки, такие как TSMC и Samsung, уже сделали значительные инвестиции в проекты в Европе и США, что может затруднить привлечение их в Индию.
Согласно прогнозам, к 2030 году потребности Индии в полупроводниках могут достичь $148 миллиардов, что подчеркивает необходимость создания местного производства. Правительство нацелено на создание 10 фабрик в течение следующего десятилетия, но для этого потребуется значительно больше инвестиций и поддержки.
Итак, будущее индийской полупроводниковой отрасли зависит от способности привлечь международные компании и обеспечить необходимые условия для их работы.